מספר מוצר של יצרן:
TSM2N7000KCT A3G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM2N7000KCT A3G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
מלאי:
12892493
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM2N7000KCT A3G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
400mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
מספר מוצר בסיסי
TSM2N7000
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2N7000TA
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
2N7000TA-DG
מחיר ליחידה
0.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2N7000-D74Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
27687
DiGi מספר חלק
2N7000-D74Z-DG
מחיר ליחידה
0.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2N7000-D26Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
14242
DiGi מספר חלק
2N7000-D26Z-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM026NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
TSM9409CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP
TSM170N06CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
